27 сентября-3 октября 2026 года в Сочи в Парке науки и искусства «Сириус» проходил Российский форум «Микроэлектроника 2026». Цель мероприятия заключается в комплексном рассмотрении актуальных вопросов разработки, производства и применения отечественной электронной компонентной базы и высокоинтегрированных электронных модулей, а также содействии развитию отечественной микроэлектроники, представлении разработок и возможностей современных технологий. Участие приняли представители компаний, ведущих научных институтов, университетов и государственные деятели. В их число вошли научные сотрудники СПбГЭТУ «ЛЭТИ».
Пленарное заседание, посвященное перспективам развития и технологическим вызовам отрасли, открыл председатель Программного комитета Российского форума «Микроэлектроника 2026», Президент РАН Геннадий Яковлевич Красников. Он обозначил стратегические векторы и задал ключевую тематику работы секции.
В рамках заданной Президентом РАН повестки с содокладом выступила профессор кафедры микро- и наноэлектроники, начальник научно-исследовательской лаборатории «Нейроморфная электроника и вычисления в памяти» (НИЛ «НМЭВП») Наталья Владимировна Андреева. Она представила результаты исследований по созданию новых видов энергонезависимой памяти и их интеграции в вычислительные архитектуры для низкоресурсных ИИ-платформ.
«Одним из основных направлений решения проблем вычислительных систем с архитектурой фон Неймана, связанных с ростом энергопотребления при обмене данных между процессором и устройством хранения и его низкой пропускной способностью, является переход к архитектурам, ориентированным на вычисления непосредственно в памяти и использующим в качестве элементной базы новые энергонезависимые технологии: ReRAM, MRAM, PCM, FeRAM. В пленарном докладе были рассмотрены все четыре перечисленных стандарта и представлены основные подходы к проектированию ИИ‑чипов, обеспечивающие рекордную энергоэффективность до 170 трлн. операций в секунду на ватт и стимулирующие дальнейшее развитие технологий вычислений в памяти с переходом к гетерогенным 3D‑системам, которые во многом определят облик вычислительных платформ следующего десятилетия». – Начальник НИЛ «НМЭВП», профессор кафедры МНЭ Наталья Владимировна Андреева
Эта тема стала центральной и на профильной секции по нейроморфным вычислениям и искусственному интеллекту (ИИ), где ученые университета представили сразу три выступления. В частности, Наталья Владимировна раскрыла термодинамические основы отказоустойчивости мультибитной резистивной памяти, необходимой для реализации парадигмы «вычислений в памяти» в нейроморфных архитектурах.
Продолжил тему аппаратных решений для нейросетей профессор кафедры микро- и наноэлектроники, ведущий научный сотрудник НИЛ «НМЭВП» Евгений Адальбертович Рындин. Он доложил об аппаратной реализации аналоговой сверточной нейронной сети с обучением методом обратного распространения ошибки на базе функциональных блоков.
Кроме того, в рамках этой секции состоялась сессия стендовых докладов, на которой доцент кафедры Дмитрий Сергеевич Мазинг поделился результатами исследования, посвященного энергоэффективной процедуре программирования устройств мультибитной резистивной памяти.
Параллельно в этот день проходила секция по материалам микро- и наноэлектроники, диагностике материалов и элементов электронной компонентной базы. На ней выступила доцент кафедры МНЭ, заместитель декана факультета электроники (ФЭЛ) по учебной работе Екатерина Николаевна Муратова с темой «Индустриальная модель подготовки кадров для научного приборостроения: опыт интеграции вузовской науки, молодежных лабораторий и высокотехнологичного производства».
«Как заместитель декана по учебной части, я ежегодно вижу, как подработки на стороне становятся причиной неуспеваемости студентов. Модель, которую компания «Активная Фотоника» – индустриальный партнер вуза – реализует на кафедре МНЭ, меняет эту картину. Центры сканирующей зондовой микроскопии, открытые на базе технических вузов, позволяют студентам и аспирантам решать реальные задачи индустриального партнера на современном оборудовании – без отрыва от учебы. Компания, в свою очередь, получает решение актуальных задач и готовит для себя квалифицированные кадры». – Доцент кафедры МНЭ, заместитель декана ФЭЛ по учебной работе СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Екатерина Николаевна Муратова
Работа форума продолжилась секцией, посвященной разработке и совершенствованию характеристик компонентов и средств вычислительной техники (ПО, аппаратурам различного назначения, средств организации распределенных вычислений и т.д.). В ходе нее доцент кафедры вычислительной техники Сергей Эльмарович Миронов рассказал о результатах структурно-топологического проектирования высокопроизводительных элементов нейронной сети на базе конвейерных матричных умножителей.
Кроме того, на мероприятии присутствовал аспирант кафедры МНЭ Иван Новиков, который рассказал о совместном исследовании ЛЭТИ и индустриального партнера вуза – компании «Активная фотоника». Работа направлена на разработку магнитооптического модуля для сканирующей зондовой микроскопии.
Помимо основной программы форума, в его рамках работала Школа молодых ученых, на которой исследователи из ЛЭТИ представили ряд докладов, охватывающих широкий спектр задач современной микроэлектроники. Два из них признаны одними из лучших.
Организаторами форума выступили АО «НИИМЭ» и АО «НИИМА «Прогресс» при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации и Министерства науки и высшего образования Российской Федерации.
